欧美整片 音尘指SK海力士加快NAND研发，400+层闪存2025年末量产就绪
IT之家 8 月 1 日音尘欧美整片，韩媒 ETNews 报说念称，SK 海力士将加快下一代 NAND 闪存的开辟，缱绻 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度严防开动大限制分娩。
SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒缱绻于 2025 上半年隔断量产。
▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存
按照韩媒的说法，SK 海力士将来两代 NAND 的间隔将缩小至约 1 年，赫然短于业界平均水平。
IT之家注：从代际发布间隔来看，好意思光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。
西西裸体艺术韩媒在报说念中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将选拔不同于现存“4D NAND”的全体结构：
SK 海力士现在的 4D NAND 选拔了 PUC（Peri Under Cell，单位下外围）技巧，将外围戒指电路舍弃在存储单位的下方，较更传统的外围电路侧置联想可减少芯片占用空间。
而 SK 海力士将来的 NAND 将在两块晶圆上分辨制造外围电路和存储单位，而后选拔 W2W（晶圆对晶圆）体式的羼杂键合技巧，将这两部分整合为完好的闪存。
换句话说，SK 海力士也将选拔近似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构联想。
报说念指出欧美整片，SK 海力士已在入部属手构建 NAND 羼杂键合所需的原材料与建筑供应链，正对羼杂键合技巧与材料进行新的审查；此外三星电子也筹议不才一代 NAND 分娩中欺诈羼杂键合。
